Aprašymas
Techniniai parametrai
Techninės specifikacijos
|
Gamyba |
Abb |
|
Modelis |
5shy3545l0009 |
| Dalies numeris | 3BHB013085R0001 |
|
Aprašymas |
IGCT modulis |
|
Kilmė |
Šveicarijos |
|
Dimensija |
45*30*10cm |
|
Svoris |
3kg |
Informacija apie produktą
„ABB 5SHY3545L0009“ elektrinės modulis yra integruotas vartai - priemiesčio tiristoriaus (IGCT) modulis, aukštas - įtampos galios elektroninis įrenginys.
Savybės:
Didelis galios tankis: naudoja pažangias IGCT lustus, kad pasiektų didelį galios tankį ir sumažintų modulio dydį.
Greitas perjungimas: nanosekundžių perjungimo greitis pagerina sistemos dinaminį atsaką.
Didelis patikimumas: griežtas kokybės kontrolė ir patikimumo tikrinimas užtikrina stabilų modulio veikimą atšiaurioje aplinkoje.
Maža - būsenos įtampos kritimas: sumažina galios nuostolius ir pagerina sistemos efektyvumą.
Puikus elektromagnetinis suderinamumas: pažangių pakuočių technologija ir grandinės dizainas sumažina elektromagnetinius trukdžius.
Savybės:
Didelis galios tankis: naudoja pažangias IGCT lustus, kad pasiektų didelį galios tankį ir sumažintų modulio dydį.
Greitas perjungimas: nanosekundžių perjungimo greitis pagerina sistemos dinaminį atsaką.
Didelis patikimumas: griežtas kokybės kontrolė ir patikimumo tikrinimas užtikrina stabilų modulio veikimą atšiaurioje aplinkoje.
Maža - būsenos įtampos kritimas: sumažina galios nuostolius ir pagerina sistemos efektyvumą.
Puikus elektromagnetinis suderinamumas: pažangių pakuočių technologija ir grandinės dizainas sumažina elektromagnetinius trukdžius.
IGCT moduliai iš skirtingų prekės ženklų skiriasi: našumas:
1. „Infineon“
„Infineon“ yra „Power“ puslaidininkių technologijos lyderis. Jo IGCT moduliuose greičiausiai naudojama pažangios tranšėjos vartų lauko sustabdymo (tranšėjos FS) technologija, siūlanti mažus laidumo nuostolius ir didelį perjungimo dažnio potencialą. Pavyzdžiui, kai kurie „Infineon IGBT“ moduliai pasižymi mažais perjungimo nuostoliais vidutiniškai ir aukštais perjungimo dažniais (pvz., Daugiau nei 10 kHz). Jų plačiai naudojamas pažangias „Interconnect“ technologijas, tokias kaip.xt taip pat pabrėžia galios ciklo galimybes ir patikimumą, ypač esant aukštai - temperatūros programoms. Nors konkretūs „Infineon“ IGCT modulių našumo duomenys nėra prieinami, atsižvelgiant į jų didelę galios puslaidininkių galios patirtį, tikimasi, kad jų našumas bus puikus.
2. Mitsubishi
„Mitsubishi“ specializuojasi nešiklio laikymo tranšėjos vartų bipolinio tranzistoriaus (CSTBT ™) technologijoje, o tai optimizuoja pusiausvyrą tarp perjungimo nuostolių ir - būsenos įtampos kritimo (VCE (SAT)). Pavyzdžiui, „Mitsubishi“ 1200 V/137A IGBT modulis sumažina jo prisotinimo įtampą (VCE (SAT)) iki 1,02 V, nepakenkiant atlaikant įtampos, pridedant „nešiklio laikymo sluoksnį“ tarp n -} buferio ir p - kolektoriaus. Jo IGCT modulis greičiausiai paveldi panašų žemiausią - būsenos įtampos kritimo pranašumą, padėdamas sumažinti laidumo nuostolius, susijusius su vardiniu dabartiniu veikimu, ir pagerinti bendrą sistemos efektyvumą.
3. Abb
Ar galėtumėte naudoti „ABB“ 5SHY4045L0006 modulį kaip pavyzdį? Tai yra IGCT aukštas - įtampos keitiklio kortelė. Jis naudoja aukštą - greičio procesoriaus lustą, galintį greitai apdoroti didelius duomenų kiekius ir valdymo logiką, užtikrinant tikrąjį - laiko sistemos stabilumą. Jis taip pat pasižymi didele - talpos atmintimi, palaiko kelis ryšio protokolus ir sąsajas, siūlo apsaugos funkcijas, tokias kaip viršįtampis, viršįtampis ir apatinė įtampa, todėl puikiai tinka.
1. „Infineon“
„Infineon“ yra „Power“ puslaidininkių technologijos lyderis. Jo IGCT moduliuose greičiausiai naudojama pažangios tranšėjos vartų lauko sustabdymo (tranšėjos FS) technologija, siūlanti mažus laidumo nuostolius ir didelį perjungimo dažnio potencialą. Pavyzdžiui, kai kurie „Infineon IGBT“ moduliai pasižymi mažais perjungimo nuostoliais vidutiniškai ir aukštais perjungimo dažniais (pvz., Daugiau nei 10 kHz). Jų plačiai naudojamas pažangias „Interconnect“ technologijas, tokias kaip.xt taip pat pabrėžia galios ciklo galimybes ir patikimumą, ypač esant aukštai - temperatūros programoms. Nors konkretūs „Infineon“ IGCT modulių našumo duomenys nėra prieinami, atsižvelgiant į jų didelę galios puslaidininkių galios patirtį, tikimasi, kad jų našumas bus puikus.
2. Mitsubishi
„Mitsubishi“ specializuojasi nešiklio laikymo tranšėjos vartų bipolinio tranzistoriaus (CSTBT ™) technologijoje, o tai optimizuoja pusiausvyrą tarp perjungimo nuostolių ir - būsenos įtampos kritimo (VCE (SAT)). Pavyzdžiui, „Mitsubishi“ 1200 V/137A IGBT modulis sumažina jo prisotinimo įtampą (VCE (SAT)) iki 1,02 V, nepakenkiant atlaikant įtampos, pridedant „nešiklio laikymo sluoksnį“ tarp n -} buferio ir p - kolektoriaus. Jo IGCT modulis greičiausiai paveldi panašų žemiausią - būsenos įtampos kritimo pranašumą, padėdamas sumažinti laidumo nuostolius, susijusius su vardiniu dabartiniu veikimu, ir pagerinti bendrą sistemos efektyvumą.
3. Abb
Ar galėtumėte naudoti „ABB“ 5SHY4045L0006 modulį kaip pavyzdį? Tai yra IGCT aukštas - įtampos keitiklio kortelė. Jis naudoja aukštą - greičio procesoriaus lustą, galintį greitai apdoroti didelius duomenų kiekius ir valdymo logiką, užtikrinant tikrąjį - laiko sistemos stabilumą. Jis taip pat pasižymi didele - talpos atmintimi, palaiko kelis ryšio protokolus ir sąsajas, siūlo apsaugos funkcijas, tokias kaip viršįtampis, viršįtampis ir apatinė įtampa, todėl puikiai tinka.